硅靶材

硅旋轉靶采用噴涂或燒結綁定工藝制得，可生產最大長度4000mm，厚度根據客戶要求定制。
硅平面靶分單晶和多晶，通過直拉晶體生長方法生產，通常綁定在銅背板上一起使用。

純度：99.99-99.999%，電阻率（20°C）: 0.01-400Ω.cm
應用領域：用于制作SiO2/Si3N4膜，主要用于光學玻璃、觸摸屏之AR膜系、LOW-E鍍膜玻璃、半導體電子、平板液晶顯示器、太陽能電池板、裝飾和功能鍍膜工業、抗腐蝕抗磨損（表面改性）等領域。

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